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            NT5CB256M8FN-DI

            The NT5CB256M8FN-DI is a high-speed CMOS Double Data Rate32 SDRAM containing 2,147,483,648 bits, it is internally configured as an octal-bank DRAM.
            型號:NT5CB256M8FN-DI
            品牌:Nanya
            封裝:FBGA
            批號:12+
            庫存:3878

            規格書(Datesheet):NT5CB256M8FN-DI.PDF 點擊下載

            商品信息

            Features  

            • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V(JEDEC Standard Power Supply)
            • VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V)
            • 8 Internal memory banks (BA0- BA2)
            • Differential clock input (CK, ??)
            • Programmable Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
            • WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9
            • POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock
            • Programmable Sequential / Interleave Burst Type
            • hrough ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)
            • Programmable Burst Length: 4, 8
            • 8n-bit prefetch architecture
            • Output Driver Impedance Control
            • Differential bidirectional data strobe
            • Internal(self) calibration:Internal self calibration
            • OCD Calibration
            • Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)
            • Auto Self-Refresh
            • Self-Refresh Temperature
            • RoHS compliance and Halogen free
            • Packages: 78-Balls BGA for x4, x8 components

             

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            業務電話:0755/23141725    18576699326

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            QQ:2286874832(方案)    1762516767(IC)

            郵箱:sunnyqi001@126.com

            地址:深圳市寶安區西鄉新湖路與勞動路交叉口寶捷安經貿中心503(羅寶線坪洲地鐵站B出口)

            公司官網:http://m.wzshfwj.com/

            樣品及詢價

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